Emissione dati – HEIDENHAIN ND 282 Manuale d'uso
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Emissione dati
Ci sono quattro possibilità di emissione dei dati:
➤ Premere il tasto MOD finché lampeggia il campo PRINT (possibile solo con
l'uscita dati "lenta"), e avviare l'emissione dati con il tasto ENT; oppure
➤ Far trasmettere periodicamente le quote all'uscita dati; oppure
➤ Immettere un comando di memorizzazione sul connettore Sub D EXT; oppure
➤ Immettere un comando di memorizzazione sul connettore BCD.
Modo operativo dell'interfaccia (vedere parametro operativo P53)
lenta –
emissione quote visualizzate
veloce –
emissione quote istantanee riferite all'origine 1
(le quote MIN/MAX/DIFF non vengono emesse)
Il cavo di collegamento (per es. con un PC) può essere ordinato alla HEIDENHAIN
(codice 206 420 ..); lunghezza cavo max. 10 m.
Parametri operativi per l'emissione dati: P23, P53-P57
Connettore „AMP-CHAMP“ (a 36 poli, presa)
Pin
Occupazione
Pin
Occupazione
2
0
2
1
2
2
2
3
1
2
3
4
decade 1
33
Segno
5
6
7
8
decade 2
34
Segnale di pronto
9
10
11
12
decade 3
35
Memorizzazione
13
14
15
16
decade 4
36
0V
17
18
19
20
decade 5
21
22
23
24
decade 6
25
26
27
28
decade 7
29
30
31
32
decade 8
Livello di uscita
Low: U
≤
0,4 V con I
≤
6 mA High: U
≥
3,8 V con I
≤
2,6 mA
I segnali di uscita sono TTL compatibili.
Livello di memorizz. Low: U
≤
0,9 V con Imax
≤
6 mA High: U
≥
3,9 V; oppure
Livello TTL (resistenza interna di pull-up 10 k
Ω
).
Tempi di trasmissione dei segnali
I tempi indicati nelle seguenti tabelle sono valori indicativi. Lavorando con
un'uscita dati lenta ed utilizzando contemporaneamente altre funzioni del
visualizzatore (per es. la serie di misurazioni o la visualizzazione in pollici), i
tempi di trasmissione dei segnali effettivi possono essere il doppio di quanto
indicato di seguito.
Emissione dati contemporanea (P55 )
Modo oper. P53
Velocità di memor.
Emissione dati dopo
veloce
P54
Valore da P54 / 2
lento
t
≤
30 ms
t
≤
8 ms
Emissione dati dopo memorizzazione esterna (P55 oppure )
Modo oper. P53
Durata min. impulso
Quota memorizzata dopo
imp. / BCD
contatto
BCD
impulso
contatto
veloce
3 µs
7 ms
0,3 µs
1,1 µs
4,8 ms
lento
t
≥
8 ms
t
≥
13 ms 0,3 µs
1,1 µs
4,8 ms
Emissione dati
Nuova memorizz. dopo
imp. / BCD
Contatto
veloce
≤
0,3 µs dopo memorizzazione interna
3 µs
7 ms
lento
≤
7,5 ms dopo memorizzazione interna
3 µs
7 ms